Tìm kiếm
Phá Vỡ Giới Hạn Tốc Độ Lưu Trữ: Bộ Nhớ Flash Mới Có Thể Thay Thế RAM và Ổ Cứng
Một nhóm nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán (Trung Quốc) vừa phát triển thành công bộ nhớ flash “PoX” với tốc độ đọc/ghi chỉ 400 picôgiây — nhanh nhất thế giới hiện nay. Dựa trên hiện tượng "siêu phóng thích" điện tử và vật liệu hai chiều, công nghệ này hứa hẹn thay đổi hoàn toàn kiến trúc bộ nhớ, mở đường cho sự phát triển vượt bậc trong AI, điện toán đám mây và thiết bị cá nhân.